npn1815

int tsw=7;

void setup() {
  // put your setup code here, to run once:
  Serial.begin( 9600);
  pinMode(tsw,OUTPUT);

}

void loop() {
  // put your main code here, to run repeatedly:
  if (Serial.available()>0)
  {
    char i=Serial.read();
    if (i=='0')
    {
      digitalWrite(tsw,LOW);
    }
    else
    {
       digitalWrite(tsw,HIGH);
    }
  }
}
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http://www.codedata.com.tw/social-coding/mblock-arduino-15-transistor-relay/

認識電晶體

實際上，提到電晶體時，多半是指雙接面電晶體（Bipolar junction transistor, BJT），依組合的半導體材料，可以分為 NPN 與 PNP 兩大類，以 NPN 電晶體為例，是由 N 型半導體與 P 型半導體組合而成：

電晶體有兩接面、三個端點，端點分別為集極（Collector）、基極（Base）與射極（Emitter），NPN 電晶體的基本特性是，射極電流 Ie 為基極電流 Ib 與集極電流 Ic 之和，而增益 α = Ic / Ie，β = Ic / Ib，Ib 通常遠小於 Ic。

當三個端點施加之偏壓不同時，電晶體會處於不同狀態：

• B-E 為順向偏壓，且 B-C 為順向偏壓時，此時電晶體狀態處於飽和區（Saturation region），此時 C 與 E 可視為短路，依電路實際連接情況，Ic 會處於一個飽和電流值。
• B-E 為逆向偏壓，且 B-C 為逆向偏壓時，此時電晶體狀態處於截止區（Cutoff region），此時 C 與 E 可視為開路，不過，實際上還是會有少量電流通過，這個現象稱為「漏電」（Leakage）。
• B-E 為順向偏壓，且 B-C 為逆向偏壓時，此時電晶體狀態處於動作區（Active region），此時可用於信號放大。
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